时间：2025/8/15 0:48:48
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SVT10120V是一款高性能、高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频应用。该器件由SiC（碳化硅）材料制造，具有出色的导热性和高击穿电压能力，适合于高温和高电压环境下工作。SVT10120V具备低导通电阻和快速开关特性，使其在电力电子系统中具有很高的效率。
类型：碳化硅MOSFET
漏源电压(VDS)：1200V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：1.2Ω
栅极电荷(Qg)：50nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
SVT10120V的主要特性包括高耐压能力，适用于1200V的高压电路设计，能够承受较高的瞬态电压。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，从而减少外围电路的尺寸和成本。SVT10120V的碳化硅材料提供了优异的热稳定性，使其能够在高温环境下可靠运行。同时，该MOSFET具备较低的反向恢复损耗，有助于进一步提升整体系统性能。
SVT10120V广泛应用于高功率密度电源系统，如工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、储能系统以及不间断电源（UPS）。由于其高频开关能力和高耐压特性，该器件也常用于DC-DC转换器、AC-DC整流器和电机驱动系统。此外，该MOSFET还可用于高能效的LED照明电源和智能电网设备。
CREE的C2M0160120D，Infineon的IMZA120R100M1H，STMicroelectronics的SCT3045KL
