类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（@ Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.5V
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

FJN5471 采用先进的沟槽式工艺制造，具备较低的导通电阻，从而在导通状态下减少功率损耗，提高系统效率。
　　其栅极氧化层设计能够承受高达 ±20V 的栅源电压，提供了良好的抗过压能力，提高了器件的可靠性。
　　该 MOSFET 的阈值电压范围为 0.6V 至 1.5V，适用于多种驱动电路设计，具有良好的兼容性。
　　由于其小型封装和低功耗特性，FJN5471 非常适合用于便携式电子设备、电池管理系统以及低功率开关电路中。
　　此外，该器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提升整体性能。
　　在热稳定性方面，FJN5471 能够在较宽的温度范围内稳定工作，从 -55°C 到 150°C，适用于各种工业环境下的应用。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗静电（ESD）能力，能够在一定程度上防止因静电放电引起的损坏。

FJN5471 常用于低压功率开关电路中，如便携式设备的电源管理、电池供电系统的负载开关、LED 驱动电路以及传感器接口电路等。
　　它也广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器和小型电机控制电路中，以提高能效和减小电路尺寸。
　　此外，FJN5471 可用于替代传统的双极型晶体管（BJT），以减少功率损耗和提升开关速度。
　　在汽车电子系统中，如车载娱乐系统、仪表盘控制模块和低功耗照明系统中，FJN5471 也表现出良好的性能。
　　在工业自动化控制中，该器件可用于小型继电器驱动、信号切换和低功耗逻辑电路中。
　　由于其良好的热稳定性和封装小巧，FJN5471 也适用于穿戴式设备和物联网（IoT）设备中的电源管理模块。

2N7002, FDN340P, BSS138