时间：2025/5/15 16:59:58
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K4T51163QQ-BCE7 是由三星（Samsung）生产的一款 DDR4 内存颗粒芯片，广泛应用于台式机、笔记本电脑、服务器和其他需要高性能内存支持的设备中。该型号采用先进的制程工艺制造，具有高带宽、低功耗和高稳定性的特点，能够满足现代计算系统对内存性能的严格要求。
DDR4 相较于前代 DDR3，在频率、电压和纠错能力等方面均有显著提升，而 K4T51163QQ-BCE7 在这些方面表现尤为突出。
类型：DRAM
接口：DDR4
容量：8Gb (1Gb=128MB)
组织方式：512M x 16
核心电压(Vcc)：1.2V
I/O 电压(Vccq)：1.2V
速度：2666Mbps
工作温度：0°C ~ 85°C
封装形式：BGA 78-ball
刷新模式：自刷新
数据宽度：x16
K4T51163QQ-BCE7 是一款高性能 DDR4 DRAM 芯片，其主要特性包括：
1. 支持高达 2666 Mbps 的数据传输速率，适合对带宽要求较高的应用场景。
2. 使用 1.2V 的低工作电压，相比 DDR3 的 1.5V 更加节能。
3. 先进的纠错功能，可有效降低数据传输中的错误率。
4. 提供高密度存储解决方案，单颗芯片即可实现大容量配置。
5. 稳定性优异，适用于从消费级到企业级的各种应用环境。
6. 小型化的 BGA 78 球封装设计，节省 PCB 空间并简化布局设计。
K4T51163QQ-BCE7 主要应用于以下领域：
1. 台式电脑和笔记本电脑中的内存条制造。
2. 数据中心和服务器平台的高密度内存需求。
3. 工业控制设备和嵌入式系统的高速缓存解决方案。
4. 高端图形处理单元（GPU）和其他需要大容量高速内存支持的硬件组件。
5. 游戏主机和多媒体设备的主内存模块。
这款芯片凭借其高效能与可靠性，成为众多主流内存模组厂商的选择。
K4T51163QH-BCE7
K4T51163QM-BCE7
K4T51163QK-BCE7
