时间：2025/8/15 2:23:33
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SVM1550UB T/R 是一款由 Sanken Electric（三健电机）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频率下提供较低的导通电阻和更高的效率。其封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），适合表面贴装（SMT）应用。SVM1550UB T/R 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：0.015Ω（最大）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-252（DPAK）
SVM1550UB T/R 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的导通电阻非常低，典型值为 0.015Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。由于采用了沟槽式 MOSFET 设计，该器件在高频工作条件下仍能保持稳定性能，适用于开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
其次，SVM1550UB T/R 的最大漏源电压为 150V，最大连续漏极电流可达 50A，能够承受较高的功率负载。该器件的栅源电压容限为 ±20V，具有较好的抗电压波动能力，从而提高其在复杂电路中的可靠性。
此外，SVM1550UB T/R 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术，节省电路板空间，并提高组装效率。其散热性能良好，能在高温环境下稳定运行。该器件的热阻较低，确保在高功率操作时保持良好的热稳定性，从而延长使用寿命。
最后，SVM1550UB T/R 的设计使其在快速开关应用中表现出色，具备较低的开关损耗和较高的耐久性，适用于各种工业和汽车电子系统。
SVM1550UB T/R 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。在电源管理系统中，它可用于高效能的功率转换和稳压电路；在 DC-DC 转换器中，其低导通电阻和高电流能力可显著提升转换效率；在电机控制和负载开关中，该器件能够可靠地控制大功率负载的启停；此外，在电池管理系统中，SVM1550UB T/R 可作为主开关元件，用于控制电池充放电路径，提高系统安全性和稳定性。
SiHF50N150D、IRF50N150D、FDMS86263、IPB150N15N3 G
