时间：2025/8/14 9:08:21
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SVM1060XB_R2_00001 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，优化了开关性能和导通损耗，从而提高了整体系统效率。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在 Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：320W（Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
SVM1060XB_R2_00001 具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用了 Vishay 的新型沟槽技术，优化了开关速度和导通损耗之间的平衡，从而减少了开关损耗，提高了整体性能。此外，其高栅极电压容限（±20V）使其适用于各种复杂的驱动电路，避免因栅极过压而导致器件损坏。该 MOSFET 还具备良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定工作，延长器件寿命。其 PowerPAK SO-8 封装形式提供了更小的 PCB 占用面积，同时增强了热传导能力，适用于紧凑型设计。SVM1060XB_R2_00001 在高温环境下依然能够保持良好的电气性能，适应各种恶劣工作条件。
该 MOSFET 广泛应用于各类高功率和高效率的电子系统中，例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化设备。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统、电动助力转向系统等，能够提供可靠的功率控制和高效的能源管理。由于其优异的热性能和小封装尺寸，SVM1060XB_R2_00001 也非常适合用于便携式电子设备中的电源管理模块。
SVM1060XV, SiR1060DP, SQM1060E-T1_GE3, FDS6680, IRF7486, IPB065N04NG
