SVF7N60 时间：2025/9/19 19:59:24 阅读：7

SVF7N60是一款由Silan（士兰微电子）生产的高压、高功率N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高耐压和低导通电阻的功率应用场合。该器件采用先进的平面条状VDMOS工艺制造，具备优良的开关特性和热稳定性，能够在高电压环境下可靠运行。SVF7N60的命名中，“7N”通常表示其为N沟道MOSFET，而“60”代表其漏源击穿电压（BVDSS）为600V，适用于通用的离线式开关电源设计。该器件广泛应用于节能灯、适配器、充电器、电视机电源板等消费类电子产品中。
　　SVF7N60具有良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，能够承受较高的瞬态电压冲击，从而提高了系统的可靠性。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，适合在中等功率范围内使用。此外，该器件还优化了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于降低驱动损耗并提高整体转换效率。由于其高性价比和稳定的供货能力，SVF7N60在国内市场被广泛应用，并作为许多国际品牌MOSFET的国产替代型号之一。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.2Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　栅极电荷（Qg）：典型值45nC（@VDS=480V, ID=3.5A）
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管优化说明（典型为快速恢复）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

SVF7N60采用了士兰微电子成熟的平面VDMOS工艺技术，这种工艺确保了器件在高电压下仍能保持优异的电气性能和长期可靠性。其600V的漏源击穿电压使其非常适合用于通用开关电源设计，尤其是在交流市电整流后的离线工作环境中。器件的导通电阻控制在1.2Ω以内，在同等级别产品中具备较强的竞争力，有助于减少导通期间的功率损耗，提升系统整体效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的功耗更低，有利于简化驱动设计并提高开关频率下的能效表现。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和抗热失控能力，能够在高温环境下持续工作而不发生性能退化。其最大连续漏极电流可达7A（在壳温25℃条件下），脉冲电流能力达到28A，适用于短时大电流工作的场景，如电机启动或电源浪涌情况。器件的阈值电压范围设定在2~4V之间，与常见的PWM控制器输出电平兼容良好，可直接由UC384X系列或其他常用驱动IC驱动，无需额外电平转换电路。
　　在可靠性方面，SVF7N60通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）以及温度循环等试验，保证了其在恶劣环境下的长期稳定性。此外，该器件具备一定的抗雪崩能力，能够在出现电感负载突然断开等异常情况下吸收部分能量而不损坏，提升了整个电源系统的鲁棒性。TO-220封装提供了良好的散热路径，可通过加装散热片进一步增强热管理能力，适用于自然对流或强制风冷的应用环境。

应用

SVF7N60广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其常见于基于反激式（Flyback）拓扑结构的设计。典型应用场景包括手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明驱动电源、小型家电电源模块以及电视机和显示器的内置电源板。在这些应用中，SVF7N60作为主开关管承担能量传递和电压变换的核心功能，其高耐压和低导通损耗特性有助于实现高效率和小体积设计。
　　此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压转换器中的功率开关角色，特别是在输入电压较高或需要隔离的场合。由于其具备良好的动态响应能力和较低的开关损耗，也可用于脉冲功率系统、电子镇流器以及小型逆变电源中。在工业控制领域，SVF7N60可用于继电器驱动、电磁阀控制或小型电机调速电路，作为高效开关元件使用。得益于其国产化优势和成本效益，该器件在注重性价比和本地供应链安全的项目中尤为受欢迎，是许多工程师在进行电源设计时优先考虑的选项之一。