SVF4N65T 时间：2025/5/15 12:50:29 阅读：1

SVF4N65T是一款N沟道增强型功率MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于高电压和大电流的开关电路中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，适合用于电源管理、电机驱动、逆变器以及各种工业应用领域。
　　该MOSFET的主要特点是其耐压能力高达650V，能够在高压环境下稳定工作，并且具备良好的热特性和可靠性。通过优化设计，这款器件能够减少系统功耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压：650V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.1A
　　脉冲漏极电流：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5Ω（在Vgs=10V时）
　　总功耗：140W
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

1. 高击穿电压，支持高达650V的工作环境，适用于各种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻设计，在典型条件下为7.5Ω，能够显著降低传导损耗。
　　3. 快速开关性能，可有效减少开关损耗，提高工作效率。
　　4. 强大的过流能力和出色的散热特性，使其能够在严苛的电气环境中长期运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
　　6. TO-220封装形式便于安装与使用，同时提供更好的散热效果。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器及升压/降压电路中的功率开关。
　　3. 工业设备中的电机驱动与控制。
　　4. 逆变器和不间断电源（UPS）的核心元件。
　　5. 各种需要高电压、大电流开关的应用场景，例如电磁阀驱动、负载切换等。
　　6. 汽车电子系统中的继电器替代方案以及电池管理系统（BMS）。