时间：2025/8/6 2:20:25
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IXKH47N60C3是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。这款晶体管采用TO-247封装，具备出色的导热性能和耐高压能力，广泛用于电源转换器、马达控制和工业自动化系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
栅极电荷(Qg)：95nC
封装类型：TO-247
IXKH47N60C3具有低导通电阻，可以显著减少导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高压应用。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在高功率条件下稳定运行。MOSFET的开关速度快，可以支持高频操作，减少开关损耗并提升系统响应速度。由于其坚固的结构设计，IXKH47N60C3还具备较强的抗过载能力和可靠性。
此器件的栅极驱动要求较低，通常只需要10V左右的栅极电压即可完全导通，这使其与多种驱动电路兼容，降低了设计复杂度。此外，其封装形式提供了良好的散热能力，有助于在高负载下保持较低的工作温度，延长器件寿命。
IXKH47N60C3主要用于高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器和工业控制系统。它也常用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，以实现高效的电能转换和管理。在电动车充电设备和电池管理系统中，该MOSFET能够提供可靠的功率控制解决方案。
IXFH47N60Q2, IRFP470, FGA40N60UD, STP47N60DM2
