SVF20NE60PN是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适合用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机控制等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):13A(在Tc=25℃时)
脉冲漏极电流(Idm):52A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.42Ω(最大0.52Ω)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
SVF20NE60PN具有多项优良的电气和热性能,能够确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。
首先,其高耐压能力(600V)使得该MOSFET能够在高压系统中安全运行,适用于各种开关电源和逆变器设计。
其次,该器件的导通电阻较低,典型值为0.42Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,SVF20NE60PN的封装形式为TO-220,这种封装不仅具有良好的散热性能,还便于安装和集成,适合在紧凑型设计中使用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持±30V,提高了其在不同驱动电路中的兼容性。
最后,SVF20NE60PN具有良好的短路和过载承受能力,能够在极端工作条件下提供可靠的保护性能。
SVF20NE60PN主要用于需要高压、高电流和高效能的功率电子系统中。典型应用包括:
开关电源(SMPS),用于AC/DC转换,提供稳定的直流输出电压。
DC-DC转换器,实现不同电压等级之间的高效能量转换。
电机驱动电路,特别是在工业自动化和家电控制中,用于控制电机的启停和速度。
逆变器系统,如太阳能逆变器和UPS(不间断电源),用于将直流电转换为交流电。
此外,该MOSFET也可用于电池管理系统、电源管理模块以及各种高功率LED驱动电路中。
TK20NE60U, 2SK2050, 2SK1530