时间：2025/6/4 2:06:12
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SVD5867NLT4G是一款高性能的功率MOSFET器件，采用N沟道增强型技术。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域。其设计优化了导通电阻和栅极电荷，从而显著降低了功耗并提高了效率。此外，该芯片具备出色的热性能和耐用性，能够满足高电流及高频应用场景的需求。
该器件采用TO-252封装形式，支持表面贴装工艺，便于自动化生产。凭借其优异的电气特性和可靠性，SVD5867NLT4G在工业控制、消费电子和通信设备中得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：39nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-252
SVD5867NLT4G具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 较小的栅极电荷(Qg)，支持高频开关应用。
3. 内置反向恢复二极管，优化了开关性能，特别适用于同步整流电路。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 热阻低，散热性能优越，可长时间稳定运行。
7. 封装紧凑，适合现代电子设备的小型化需求。
这些特性使SVD5867NLT4G成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。
SVD5867NLT4G广泛应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器，包括降压、升压及升降压拓扑结构。
3. 负载开关，用于保护电路免受过流和短路的影响。
4. 电机驱动，特别是在小型直流电机控制中。
5. 工业自动化设备中的功率级管理。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
其卓越的电气性能和可靠性使其在各种严苛环境中表现出色。
SVP5867NLT4G, SVD5867NLH4G
