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SVD5867NLT4G 发布时间 时间:2025/6/4 2:06:12 查看 阅读:5

SVD5867NLT4G是一款高性能的功率MOSFET器件,采用N沟道增强型技术。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域。其设计优化了导通电阻和栅极电荷,从而显著降低了功耗并提高了效率。此外,该芯片具备出色的热性能和耐用性,能够满足高电流及高频应用场景的需求。
  该器件采用TO-252封装形式,支持表面贴装工艺,便于自动化生产。凭借其优异的电气特性和可靠性,SVD5867NLT4G在工业控制、消费电子和通信设备中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-252

特性

SVD5867NLT4G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 较小的栅极电荷(Qg),支持高频开关应用。
  3. 内置反向恢复二极管,优化了开关性能,特别适用于同步整流电路。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 热阻低,散热性能优越,可长时间稳定运行。
  7. 封装紧凑,适合现代电子设备的小型化需求。
  这些特性使SVD5867NLT4G成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。

应用

SVD5867NLT4G广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器,包括降压、升压及升降压拓扑结构。
  3. 负载开关,用于保护电路免受过流和短路的影响。
  4. 电机驱动,特别是在小型直流电机控制中。
  5. 工业自动化设备中的功率级管理。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  其卓越的电气性能和可靠性使其在各种严苛环境中表现出色。

替代型号

SVP5867NLT4G, SVD5867NLH4G

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SVD5867NLT4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥6.28000剪切带(CT)2,500 : ¥2.43280卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)39 毫欧 @ 11A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)675 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.3W(Ta),43W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63