型号：SVD4N60T
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：< 2.2Ω @ Vgs = 10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：典型值约800pF
　　输出电容（Coss）：典型值约150pF
　　反向恢复时间（trr）：约100ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值约35nC

SVD4N60T具备多项优异的技术特性，使其在中高压功率应用中表现突出。首先，其600V的高漏源击穿电压使其能够胜任大多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在AC-DC转换器中，可以直接连接整流后的市电母线电压而无需额外的降压电路。其次，该器件在室温下可承载4A的连续漏极电流，并能在短时间内承受高达16A的脉冲电流，这为瞬态负载变化提供了足够的安全裕度。
　　该MOSFET采用了优化的平面DMOS结构，显著降低了导通电阻Rds(on)，典型值低于2.2Ω，在Vgs=10V时即可实现充分导通，从而有效减少导通损耗，提高能效。低Rds(on)还意味着更少的发热，有助于提升系统的长期可靠性和稳定性。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得驱动电路所需的驱动功率更低，尤其适合使用PWM控制器进行高频开关操作，典型开关频率可达数十kHz至数百kHz。
　　SVD4N60T具有良好的热性能，TO-220封装具备优良的散热能力，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。其工作结温范围达到-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约100ns），减少了在感性负载关断时的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统安全性。
　　此外，该器件对雪崩能量具有一定的耐受能力，具备一定的自我保护特性，能够在突发过压或负载突变情况下维持一定时间的稳定运行。综合来看，SVD4N60T在高电压、中等电流应用场景中表现出色，是性价比高且可靠性强的功率开关器件选择。

SVD4N60T广泛应用于各类需要高压开关功能的电力电子设备中。常见应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS），如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动电源等，其中它作为主开关管用于实现高效的能量转换；在DC-DC升压或降压变换器中，该MOSFET可用于构建同步整流或主控开关结构，以提高转换效率；在逆变电源系统中，SVD4N60T可作为桥式电路的一部分，参与直流到交流的转换过程。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，特别是在小功率直流电机或步进电机的控制模块中，能够实现精确的启停与调速控制；在家用电器如空调、洗衣机、微波炉的电源控制单元中也有广泛应用；在工业自动化控制系统中，用于继电器驱动、电磁阀控制和PLC输出模块等场合。
　　由于其具备较高的电压耐受能力和良好的开关特性，SVD4N60T还可用于电子镇流器、荧光灯与LED照明驱动电路中，作为高频开关元件使用，帮助实现节能与小型化设计。在太阳能光伏系统中的部分MPPT控制器中，也可作为功率开关使用。总之，凡是涉及600V以内电压切换、中等电流负载且要求高效率和高可靠性的场合，SVD4N60T都是一个理想的选择。

FQP4N60C
　　K2743
　　STP4NK60ZFP
　　2SK2975
　　AP4N60U