时间：2025/7/30 15:47:00
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SV6030P 是一款由 Sanken（三垦）电气公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET，广泛应用于需要高效能功率开关的场合，例如电源转换器、电机驱动、逆变器以及各种工业控制系统中。该器件采用 TO-220 封装形式，具有良好的热性能和高耐压能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（典型值）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
SV6030P 具备出色的导通性能和低导通电阻特性，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高系统效率。该器件的漏源电压额定值高达 600V，适合用于高压电路中。此外，SV6030P 还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下可靠运行。
其 TO-220 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用在各种电路板上。SV6030P 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 10V 到 20V 之间，确保了灵活的控制能力。
这款 MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了整体系统的响应速度。这使得 SV6030P 在高频开关电源、DC-DC 转换器和马达控制应用中表现出色。
SV6030P 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子设备中。典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、电池充电器、LED 驱动器、工业自动化设备以及各种电力电子转换系统。由于其优异的电气性能和可靠性，SV6030P 也广泛应用于家用电器和汽车电子系统中。
IXFH30N60P, IRFGB40N60HD, STF30N60DM2
