时间：2025/12/26 13:26:59
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H1068NLT是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及各类高效率功率转换系统中。该器件采用先进的高压工艺技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高电压工作环境下实现低功耗和高可靠性。H1068NLT通常封装于TO-252（DPAK）或类似的表面贴装功率封装中，便于在PCB上进行散热设计与自动化生产。其主要优势在于高耐压能力、快速开关响应以及良好的热稳定性，适合用于工业控制、消费电子、LED驱动电源等场景。该MOSFET的设计目标是提供一种成本效益高且性能稳定的解决方案，以满足现代电源系统对小型化、高效能和高可靠性的需求。此外，H1068NLT还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，进一步提升了其在恶劣工作环境下的安全运行能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：1000V
漏极电流（Id）：1.2A（连续）
脉冲漏极电流（Idm）：4.8A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值7.0Ω（@ Vgs=10V）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：约520pF（@ Vds=25V）
输出电容（Coss）：约35pF（@ Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：约34ns
最大功耗（Pd）：50W（Tc=25℃）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
