SV560L T/R 时间：2025/8/15 3:46:25 阅读：7

SV560L T/R 是一款由 Sanken（三研）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高频率开关应用。其设计支持高电流和低导通电阻，适用于如电源转换器、DC-DC 转换器以及电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-252
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

SV560L T/R 的核心特性在于其高效的开关性能和低导通电阻，这使得器件在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗。此外，该 MOSFET 具备较高的耐压能力，其 60V 的漏源电压等级使其适用于多种中高功率应用。TO-252 封装形式有助于提高散热效率，从而延长器件的使用寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，使得其在多种驱动电路中具有良好的兼容性。同时，SV560L T/R 在高温环境下仍能保持稳定工作，适应性强。由于其卓越的性能表现，该 MOSFET 被广泛用于工业自动化、通信设备以及电源管理系统等领域。

应用

SV560L T/R 主要用于需要高效能功率开关的电子设备中。例如，在电源模块中，它常被用作 DC-DC 转换器的主开关，以提高能量转换效率；在电机驱动电路中，该器件可用于控制电机的转速和方向；此外，在 LED 驱动器、电池管理系统以及不间断电源（UPS）等应用中，该 MOSFET 也广泛存在。由于其高耐压特性和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效率、高稳定性的功率电子系统。