时间：2025/7/12 18:57:50
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SV23T50B36是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够显著降低功耗并提升系统效率。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，适用于高电流和高频应用环境，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：36A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2000pF
典型阈值电压：2.5V
工作温度范围：-55℃至175℃
SV23T50B36的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗；快速开关速度可以有效降低开关损耗；具备强大的雪崩能力和抗静电能力，从而提高整体系统的可靠性和耐用性。
此外，该器件采用了TO-247封装形式，不仅提供了良好的散热性能，还方便集成到各种复杂电路中。其出色的电气性能和机械稳定性使其成为高要求功率应用的理想选择。
SV23T50B36适用于多种工业领域中的功率管理场景，例如电动汽车中的电机控制器、不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器、LED照明驱动以及消费类电子产品中的适配器与充电器等。
由于其优异的热特性和大电流承载能力，在电动车窗调节器、电动工具马达驱动等方面也有广泛应用。
IRFZ44N, STP36NF06, FDP5800
