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IRF7389TRPBF 发布时间 时间:2025/6/5 23:47:45 查看 阅读:8

IRF7389TRPBF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用Trench技术制造。该器件适用于高频开关应用场合,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其优化的设计使其在功率转换电路中表现出色,例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
  该器件封装为5x6mm的PQFN封装,有助于提高功率密度并简化PCB布局设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  反向恢复时间:30ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF7389TRPBF具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,能够有效降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 内置ESD保护功能,提高了器件的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  6. 支持高频率操作,适合现代高效能功率转换需求。

应用

IRF7389TRPBF广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电动工具中的电机驱动
  4. 汽车电子系统的负载开关
  5. 工业自动化设备中的功率管理
  6. 通信电源模块中的功率级控制

替代型号

IRF7389GTRPBF, IRF7389DPBF

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IRF7389TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A,5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 5.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7389PBFTRIRF7389TRPBF-NDIRF7389TRPBFTR-ND