IRF7389TRPBF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用Trench技术制造。该器件适用于高频开关应用场合,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其优化的设计使其在功率转换电路中表现出色,例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该器件封装为5x6mm的PQFN封装,有助于提高功率密度并简化PCB布局设计。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:25A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:12nC(典型值)
反向恢复时间:30ns(典型值)
工作温度范围:-55℃至175℃
IRF7389TRPBF具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,能够有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
4. 内置ESD保护功能,提高了器件的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
6. 支持高频率操作,适合现代高效能功率转换需求。
IRF7389TRPBF广泛应用于各种需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电动工具中的电机驱动
4. 汽车电子系统的负载开关
5. 工业自动化设备中的功率管理
6. 通信电源模块中的功率级控制
IRF7389GTRPBF, IRF7389DPBF