时间：2025/6/5 23:47:45
阅读：8
IRF7389TRPBF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，采用Trench技术制造。该器件适用于高频开关应用场合，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其优化的设计使其在功率转换电路中表现出色，例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该器件封装为5x6mm的PQFN封装，有助于提高功率密度并简化PCB布局设计。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：25A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：12nC（典型值）
反向恢复时间：30ns（典型值）
工作温度范围：-55℃至175℃
IRF7389TRPBF具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 内置ESD保护功能，提高了器件的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
6. 支持高频率操作，适合现代高效能功率转换需求。
IRF7389TRPBF广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具中的电机驱动
4. 汽车电子系统的负载开关
5. 工业自动化设备中的功率管理
6. 通信电源模块中的功率级控制
IRF7389GTRPBF, IRF7389DPBF
