型号：SV16857
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.4A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：21A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V, Id=2.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：33mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.7A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：140pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　上升时间（tr）：15ns
　　下降时间（tf）：10ns
　　最大功耗（Pd）：1.4W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

SV16857采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为28mΩ，这使得在大电流通过时产生的导通损耗显著降低，从而提高整个电源系统的转换效率。该特性特别适用于对能效要求较高的便携式设备和电池供电系统，例如移动电源、蓝牙耳机充电仓以及小型LED照明驱动等应用场景。
　　其次，SV16857具有较快的开关速度，得益于其较小的栅极电荷（Qg=12nC）和输入/输出电容（Ciss=450pF），能够在高频开关电路中实现快速响应，减少开关过程中的能量损耗。这一优势使其非常适合用于同步整流、DC-DC降压变换器以及负载开关等需要高频率工作的场合。此外，较低的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，提升器件在高速切换时的抗干扰能力与稳定性。
　　再者，该MOSFET的阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可以直接由3.3V或5V微控制器IO口直接驱动，无需额外的栅极驱动电路，简化了外围设计并降低了系统成本。这对于集成度较高的嵌入式系统和智能控制模块尤为重要。
　　从热性能角度看，SV16857在SOT-23封装下仍能承受高达1.4W的最大功耗，并可在-55℃到+150℃的宽结温范围内稳定运行，表现出良好的热稳定性和环境适应性。其小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。
　　最后，SV16857符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持环保生产工艺，适用于出口型产品及绿色认证项目。综合来看，SV16857是一款兼具高性能、高可靠性和高性价比的N沟道MOSFET，广泛适用于各类中低功率电力电子系统中。

SV16857主要应用于各类中小功率的电源管理系统中，典型用途包括但不限于：便携式电子设备中的电池保护电路和充放电控制模块，例如智能手机、平板电脑、电动牙刷和可穿戴设备；在这些设备中，SV16857可用于实现高效的负载开关或背靠背配置下的双向电流阻断功能，防止电池反向放电或过流损坏。
　　此外，该器件也常见于低压DC-DC转换器中，作为同步整流管或主开关管使用，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。由于其支持逻辑电平驱动，因此可以与PWM控制器或MCU直接连接，简化驱动电路设计。
　　在LED驱动领域，SV16857可用于恒流源调节或开关控制，特别是在手持式照明工具、装饰灯带和智能家居照明系统中发挥重要作用。其快速开关能力和低导通电阻有助于减少发热，延长灯具使用寿命。
　　工业控制方面，SV16857可用于继电器替代、电机驱动（如微型风扇、振动马达）以及传感器供电开关等场景，提供可靠的固态开关解决方案。同时，由于其具备良好的ESD防护能力和稳定的电气参数，也被广泛用于USB端口的过流保护和热插拔控制电路中，保障数据接口的安全运行。

SI2302, AP2302, AON6260, FDMC86260