CT4N25 时间：2025/4/30 19:41:05 阅读：35

CT4N25是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种开关和功率管理电路中。该器件以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性而著称，适用于需要高效能和小尺寸设计的场合。
　　CT4N25通常用于直流电机驱动、负载开关、电池保护以及电源管理等应用领域。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：35nC（典型值）
　　总功耗：160W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

CT4N25具有较低的导通电阻，能够显著降低功率损耗并提高效率。
　　其高开关速度使得该器件在高频应用中表现优异，同时具备优良的热稳定性和抗浪涌能力。
　　该MOSFET还采用了标准TO-220封装形式，便于安装和散热设计。
　　此外，CT4N25支持较高的漏极电流，使其非常适合大功率应用环境。

应用

该芯片主要应用于开关电源、电机驱动电路、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关等领域。
　　在汽车电子领域，CT4N25可用于电动座椅控制、雨刷器驱动和LED照明系统。
　　工业控制方面，它适合用作电磁阀驱动、继电器驱动及各种功率级开关组件。
　　消费类电子产品中，CT4N25也常用于笔记本电脑适配器、手机充电器以及其他便携式设备的电源管理部分。