SURHS8160T3G 时间：2025/8/28 12:44:39 阅读：16

SURHS8160T3G是一款由onsemi（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高频放大和开关应用而设计，适用于各种模拟和数字电路。其高频性能使其在射频（RF）和中间频率（IF）电路中表现出色。

参数

类型: NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 30V
　　最大功耗（Ptot）: 300mW
　　电流增益（hFE）: 110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）: 最小100MHz
　　工作温度范围: -55°C至+150°C
　　封装类型: SOT-23

特性

SURHS8160T3G具有良好的高频响应和稳定的电流增益特性，适用于多种放大和开关应用。
　　该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz以上，使其在高频信号放大和处理中表现出色。
　　它具有多种hFE等级（从110到800），允许设计人员根据应用需求选择合适的增益水平。
　　器件的封装形式为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度电路板上安装。
　　此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，可以在低功率应用中提供足够的电流驱动能力，同时保持较低的功耗和发热。
　　SURHS8160T3G的高击穿电压（Vce和Vcb均为30V）使其能够适应较宽的工作电压范围，并提高电路的可靠性。

应用

SURHS8160T3G广泛应用于各种电子电路中，包括射频（RF）放大器、中间频率（IF）放大器和低噪声放大器。
　　由于其高频性能和稳定的增益，它也常用于音频放大电路和开关电路中。
　　此外，该晶体管可用于传感器接口电路、信号调节电路以及数字逻辑电路中的开关元件。
　　在无线通信设备中，如无线局域网（WLAN）、蓝牙模块和射频识别（RFID）系统中，该晶体管也可用于射频信号的放大和处理。
　　其SOT-23封装形式使其适用于便携式电子设备和自动化测试设备（ATE）等对空间要求较高的应用场景。