时间：2023/7/6 17:06:48
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SPP17N80C3是一款800VCoolMOS?N沟道功率MOSFET，具有超低栅极电流。它专为高直流大电压和开关应用而设计。SPP17N80C3XKSA1输出电容(Eoss)@400V中的能量存储非常低，采用的封装是PG-TO-220-3-31，全隔离封装。SPP17N80C3XKSA1具有高效率和功率密度，经过现场验证的CoolMOS?质量，便于使用。
SPP17N80C3XKSA1
| 制造商 | 英飞凌科技 |
| 制造商产品编号 | SPP17N80C3XKSA1 |
| 供应商 | 英飞凌科技 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
| 详细说明 | N 沟道 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) 通孔 PG-TO220-3-1 |
| 包裹 | 管子 |
| 零件状态 | 在售 |
| 场效应管类型 | N通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 800伏 |
| 电流-连续漏极(Id)@25°C | 17A(锝) |
| 驱动电压(MaxRdsOn,MinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 290mOhm@11A,10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.9V@1mA |
| 栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs | 177nC@10V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 2320pF@25V |
| 功耗(最大) | 208W(TC) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 安装方式 | 通孔 |
| 供应商设备包 | PG-TO220-3-1 |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
| 基本产品编号 | SPP17N80 |
| 箱/包 | TO-220 |
| 引脚数 | 3 |
| 连续漏极电流(ID) | 17A |
| 目前评级 | 17A |
| 漏源电阻 | 250毫欧 |
| 漏源电压(Vdss) | 800伏 |
| 栅源电压(Vgs) | 20伏 |
| 最大双电源电压 | 800伏 |
| 通态电阻 | 290毫欧 |
| 包装数量 | 500 |
| 功耗 | 208瓦 |
| 上升时间 | 15纳秒 |
| 关断延迟时间 | 72纳秒 |
| 开启延迟时间 | 25纳秒 |
| 额定电压(直流) | 800伏 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3 |
| 湿气敏感度(MSL) | 1(无限制) |
| REACH状态 | REACH不受影响 |
新的革命性高压技术
极端dV/dt额定值
高峰值电流能力
符合JEDEC的目标应用要求
改进的跨导
定期雪崩额定值
低特定导通电阻
输出电容(Eoss)@400V中的能量存储非常低
经过现场验证的CoolMOS?质量
高效率和功率密度
出色的表现
高可靠性
便于使用
工业
通信与网络
消费电子
电源管理
SPP17N80C3XKSA1符号
SPP17N80C3XKSA1脚印
SPP17N80C3XKSA1封装
