SURD107T4 时间：2025/9/3 7:22:13 阅读：9

SURD107T4是一款由Samsung（三星）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于各种高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。SURD107T4属于N沟道增强型MOSFET，具有较高的电流承载能力和快速的开关特性，是现代电子设备中功率控制电路的关键元件之一。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A（在Tamb=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.8mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TSC8
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

SURD107T4采用了三星先进的沟槽式MOSFET工艺，使其在相同的封装尺寸下实现了更低的导通电阻和更高的电流承载能力。该器件的RDS(on)典型值为7.8mΩ，在高电流工作状态下能够显著降低导通损耗，从而提高系统效率。其栅极电荷Qg仅为16nC，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。该MOSFET具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的导通性能，从而提高系统的可靠性和寿命。SURD107T4的封装形式为TSC8，采用表面贴装技术，便于自动化生产和节省PCB空间。该器件还具备较强的短路耐受能力和良好的抗静电能力，适用于多种工业和消费类电子设备中的功率控制电路。其±20V的栅源电压耐受能力使得在使用过程中具有更高的安全裕量，适用于多种驱动电路配置。

应用

SURD107T4广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、电源管理模块、LED驱动电路以及各类高效率电源适配器等。由于其低导通电阻和良好的高频特性，特别适用于高效率、高功率密度的开关电源设计。在新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车的电源管理系统中，该MOSFET也可作为关键的功率开关元件使用。此外，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理模块中，也常用于实现高效的电源转换和负载控制。