类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：96A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 20mΩ
　　功率耗散(Pd)：500W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXTQ96N20P 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。该器件的最大漏源电压为 200V，使其适用于中高功率的电源转换系统。此外，其最大连续漏极电流可达 96A，表明其具有较强的电流承载能力。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具有较高的栅极驱动灵活性，适用于多种驱动电路设计。其高功率耗散能力（500W）确保了在高负载条件下的稳定运行，同时 TO-247 封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。
　　此外，IXTQ96N20P 具备快速开关特性，降低了开关损耗，使其适用于高频工作环境。器件的热阻较低，确保在高负载运行时温度上升可控，从而提高系统的可靠性。这些特性共同使得 IXTQ96N20P 成为工业电源、电机控制和电源管理系统的理想选择。

IXTQ96N20P 广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高频率切换的场合。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换部分。由于其出色的导通和开关性能，IXTQ96N20P 在需要高效率和高可靠性的设计中具有显著优势。

IXTQ96N20T、IXFN96N20P、IRFP4668、SiHF46N200E