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SURA8260T3G 发布时间 时间:2025/4/29 13:46:38 查看 阅读:3

SURA8260T3G是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为TO-220,适合高功率密度的设计需求,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关时间:开启时间 90ns,关断时间 37ns
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

SURA8260T3G的核心优势在于其卓越的电气性能和可靠性:
  1. 极低的导通电阻(1.6mΩ),可有效减少导通损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 内置ESD保护功能,增强器件的鲁棒性。
  4. 采用TO-220标准封装,易于安装且散热良好。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动工具及家电中的电机驱动
  3. 汽车电子系统的DC-DC转换
  4. 工业自动化设备中的负载开关
  5. 太阳能逆变器及其他新能源相关设备

替代型号

IRF840, K1020, FDP16N80

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SURA8260T3G参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.45V @ 2A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)75ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装SMA
  • 包装带卷 (TR)