容量：128K x 8位
　　组织结构：128KB，8位宽
　　访问时间：10ns（最大）
　　电源电压：3.3V ± 10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚 TSOP
　　读取电流（最大）：200mA
　　待机电流（最大）：10mA

LH28F008SCT-LI2 SRAM芯片具备多项出色的性能特点。其高速访问时间为10ns，适用于高性能系统中的快速数据读写需求。该器件采用低功耗CMOS工艺，能够在高速运行的同时保持较低的功耗，同时在待机模式下电流消耗极低，适合对能效有要求的应用场景。
　　该SRAM支持3.3V电源供电，兼容现代低电压系统设计，并具备±10%的电压容限，提高了电源适应性和稳定性。其52引脚TSOP封装设计有利于空间紧凑的PCB布局，同时具备良好的散热性能。
　　此外，LH28F008SCT-LI2具有宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境条件，确保在严苛环境下稳定运行。该芯片具备高可靠性和抗干扰能力，适用于通信、工业控制、嵌入式系统等对稳定性要求较高的应用场合。

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和处理能力的系统中。例如，在工业控制设备中，它可以用作高速缓存或临时数据存储器，提高系统响应速度。在通信设备中，LH28F008SCT-LI2可作为缓冲存储器，用于临时存储数据包或队列信息，提高数据传输效率。嵌入式系统中，该SRAM可用于存储程序运行时的临时变量和堆栈信息，提升系统整体性能。
　　另外，该芯片也适用于测试设备、网络设备和自动化控制系统等场景，满足各种高性能、低功耗和宽温工作需求的应用环境。其高可靠性和稳定性使其在关键任务系统中具备良好的适用性。

IS61LV128AL-10B4I、CY62148EAV25-45ZS、IDT71V016SA10PFG、AS7C31026A-10BC