时间：2025/5/12 12:22:32
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SUP85N03-3M6P 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供高效的功率转换和可靠的性能。
该型号的主要特点是优化的 Rds(on) 和 Qg 参数，使其在高频开关应用中表现出色，同时保持较低的功耗和热量产生。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：85A
导通电阻（Rds(on)）：3mΩ
栅极电荷（Qg）：65nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
1. 极低的导通电阻 (3mΩ)，有效减少传导损耗。
2. 高额定电流能力 (85A)，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，适合高频开关电路。
4. 优化的栅极电荷，降低驱动功耗。
5. 稳定的热性能，能够在高温环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
7. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
1. 开关电源 (
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
SUP85N03L-3M6P, FDP080N03A, IRF3205
