时间：2025/5/30 20:19:03
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SQCB7M180FATME500 是一款基于硅技术的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频、高效能的应用场景。其封装形式为 TO-247，适合需要良好散热性能的设计。
这款 MOSFET 广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种工业控制领域。其出色的电气特性使其成为许多功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
SQCB7M180FATME500 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度设计，能够适应高频应用需求。
3. 高耐压能力，确保在恶劣环境下可靠运行。
4. 较小的栅极电荷，降低驱动功耗。
5. 宽温度范围操作，适应多种工业环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该器件适用于以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 太阳能逆变器中的功率级开关。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 高效功率因数校正（PFC）电路。
6. 各类负载切换和保护电路。
SQCB7M180FAHME500, IRF180PBF, FDP18N18
