容量：8GB（Gigabit）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　电压：1.1V（VDD）和1.8V（VDDQ）
　　数据速率：3200Mbps
　　封装类型：153-ball FBGA
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9TQ17A8GTMC-URKUM 的主要特性之一是其采用了LPDDR4技术，这使得它在保持高性能的同时，显著降低了功耗。这对于电池供电的设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备尤为重要。其3200Mbps的数据速率能够提供快速的数据访问能力，支持多任务处理和高带宽需求的应用，如高清视频播放和图形密集型游戏。
　　此外，该芯片的153-ball FBGA封装设计有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能，确保在高负载下依然保持稳定运行。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在广泛的环境条件下可靠工作。
　　H9TQ17A8GTMC-URKUM 还支持多种低功耗模式，包括自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power Down），这些功能进一步延长了设备的电池续航时间。其内置的温度补偿自刷新（TCSR）功能可以在不同温度下优化刷新率，减少不必要的功耗，同时确保数据的完整性。
　　该DRAM芯片的另一个显著特点是其高集成度。8GB的容量为系统设计提供了充足的内存空间，能够满足现代操作系统和应用程序对内存的高需求。同时，其兼容性良好，适用于多种嵌入式平台和移动处理器。

H9TQ17A8GTMC-URKUM 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备。在移动设备领域，该芯片广泛用于高端智能手机和平板电脑，支持流畅的多任务处理、高清视频播放和高性能游戏体验。在嵌入式系统中，它可以用于工业控制、自动化设备和智能家电，提供稳定可靠的内存支持。
　　消费类电子产品方面，H9TQ17A8GTMC-URKUM 可用于智能电视、机顶盒和多媒体播放器，确保快速启动和流畅的用户界面操作。此外，它还可以用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备，支持数据的高效处理和存储。
　　由于其良好的温度适应性和低功耗特性，该芯片也适用于车载电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），确保在不同环境条件下都能稳定运行。

H9TQ17ABJTMC-UR_KC, H9TQ17ABJTMC-UR_NA