时间：2025/6/10 16:57:16
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SUP70N06-14是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为效率要求较高的应用的理想选择。
这款MOSFET的耐压为60V，能够承受较高电压波动，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：39A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：36nC
总电容：1350pF
工作结温范围：-55℃至150℃
SUP70N06-14具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了传导损耗，提升了系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设计需求。
5. 小型化封装，便于PCB布局和散热管理。
6. 耐热性能优越，能够在较宽温度范围内稳定运行。
该功率MOSFET适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 电动工具及小型家电的电机驱动控制。
3. 汽车电子中的负载开关与保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 高效DC-DC转换器的核心元件。
6. 各类电池管理系统中的充放电控制电路。
STP70NF06L, IRFZ44N, FDP75N06A
