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SUP53P06-20-E3 发布时间 时间:2022/10/12 11:31:36 查看 阅读:1165

    VISHAY  SUP53P06-20-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 53 A, -60 V, 19.5 mohm, -10 V, -1 V

    The SUP53P06-20-E3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.


目录

概述

    VISHAY  SUP53P06-20-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 53 A, -60 V, 19.5 mohm, -10 V, -1 V

    The SUP53P06-20-E3 is a -60V P-channel TrenchFET? Power MOSFET.


参数

    通道数:1

    针脚数:3

    漏源极电阻:0.0195 Ω

    极性:P-Channel

    耗散功率:3.1 W

    阈值电压:3 V

    漏源击穿电压:60 V

    连续漏极电流(Ids):53.0 A

    上升时间:7 ns

    下降时间:40 ns

    工作温度(Max):150 ℃

    工作温度(Min):-55 ℃

    安装方式:Through Hole

    引脚数:3

    封装:TO-220-3

    长度:10.51 mm

    高度:15.49 mm

    工作温度:-55℃ ~ 150℃


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SUP53P06-20-E3参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs115nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3500pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件