IXFN30N110 时间：2025/8/5 14:22:03 阅读：15

IXFN30N110是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等电力电子系统中。该器件采用了先进的平面技术，提供了优异的导通和开关性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。IXFN30N110的漏源击穿电压为1100V，连续漏极电流为30A，适合在高压和高功率应用场景中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1100V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　功耗（PD）：530W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.165Ω（在VGS=10V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值1800pF
　　输出电容（Coss）：典型值280pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值250ns

特性

IXFN30N110具有多项优异的电气和物理特性，首先其高漏源电压能力（1100V）使其适用于高压功率转换系统，如工业电源、光伏逆变器和电机驱动器等。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.165Ω，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　此外，IXFN30N110具备快速的开关特性，输入电容和输出电容分别为1800pF和280pF，有助于实现高频开关操作，适用于高频率工作的电力电子变换器。同时，该器件的反向恢复时间（trr）为250ns，表现出良好的开关性能，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　在热管理方面，IXFN30N110采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持稳定。该封装形式也便于安装在散热器上，以提高系统的热可靠性。
　　此外，该MOSFET还具备较高的栅极绝缘强度，栅源电压可承受±30V，增强了器件在复杂电磁环境中的工作稳定性。整体而言，IXFN30N110是一款高性能的功率MOSFET，适用于各种高压、高功率应用场合。

应用

IXFN30N110主要应用于高电压和高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机控制、逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的高压耐受能力和低导通损耗特性，IXFN30N110特别适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。