时间：2025/7/25 19:32:39
阅读：13
SUN2309是一款由SUNSEMI（森芯半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用和功率转换电路。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热稳定性，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在25℃）
功耗（Pd）：134W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
存储温度范围：-65℃ ~ 150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
导通电阻（Rds(on)）：最大7.5mΩ（在10V Vgs）
SUN2309具有多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻确保了在大电流条件下具有较低的传导损耗，从而提升整体系统的效率。其次，该器件采用高耐热材料封装，具有良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间稳定工作。
此外，SUN2309的栅极设计优化了开关特性，降低了开关损耗，并增强了抗干扰能力。该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，提升了在突变负载或反向电动势环境下的可靠性。其TO-263封装结构也便于在PCB上安装和散热设计，适用于紧凑型高功率密度电路。
SUN2309广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、电源开关控制模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。此外，它也适用于汽车电子系统中的高功率负载切换，如LED车灯驱动、电动助力转向系统等。
SiR142DP、IRF1404、AON6260、FDS6680、FDMS86101
