时间：2025/5/29 0:44:09
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SUM90N08-7M6P 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，适用于高频和高效能应用。该器件采用先进的增强型 GaN HEMT 工艺，具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能。其封装设计使其适合表面贴装工艺，并且能够满足消费电子、工业电源以及通信设备等领域的需求。
由于 GaN 材料的独特性质，SUM90N08-7M6P 在开关频率和效率方面显著优于传统的硅基 MOSFET。此外，它还支持高达 100V 的工作电压，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：35nC
反向恢复电荷：无
开关频率：高达 5MHz
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：LFPAK
1. 使用氮化镓技术实现超低导通电阻和快速开关能力。
2. 高达 100V 的额定电压使其适用于多种高压应用场景。
3. 支持高频率操作（最高可达 5MHz），减少磁性元件体积并提升系统功率密度。
4. 封装紧凑，便于在 PCB 上进行高密度布局。
5. 出色的热性能有助于提高整体系统的可靠性和效率。
6. 内置 ESD 保护以增强器件的鲁棒性。
7. 符合 RoHS 标准，环保友好。
SUM90N08-7M6P 广泛应用于需要高性能和小尺寸解决方案的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 汽车电子中的辅助电源管理
5. 电机驱动控制器
6. 快速充电适配器
7. LED 驱动电路
8. 可再生能源逆变器
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