时间：2025/8/28 12:46:03
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SUM52N20-39P 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高功率应用设计，具备良好的导通特性和快速开关性能。其最大漏源电压（VDS）为 200V，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、逆变器以及各种工业和消费类电子产品中的功率开关电路。
型号：SUM52N20-39P
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 VDS：200V
最大漏极电流 ID（连续）：52A
最大导通电阻 RDS(on)：39mΩ @ VGS=10V
阈值电压 VGS(th)：2.0~4.0V
最大功耗 PD：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
引脚数：3
SUM52N20-39P 采用先进的功率 MOSFET 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于降低导通损耗并提高能效。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适合用于高功率密度设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。此外，该 MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高电流和高电压条件下提供可靠的保护机制。其 TO-220 封装形式便于散热，适用于各种标准电路板布局。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅工艺制造。
在动态性能方面，SUM52N20-39P 的输入电容（Ciss）约为 2400pF，输出电容（Coss）约为 350pF，反向传输电容（Crss）约为 80pF，使其在高频开关应用中表现良好。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗。此外，该 MOSFET 具有较强的雪崩能量承受能力，提高了在高压冲击环境下的可靠性。
SUM52N20-39P 适用于多种功率电子系统，如电源转换器（包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器）、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及高功率 LED 照明驱动电路。该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。此外，它在太阳能逆变器和储能系统中也具有广泛的应用前景。
STP55NF06L, IRF1405, FDP52N20, FQP50N20
