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SUM52N20-39P 发布时间 时间:2025/8/28 12:46:03 查看 阅读:12

SUM52N20-39P 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电压和高功率应用设计,具备良好的导通特性和快速开关性能。其最大漏源电压(VDS)为 200V,适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、逆变器以及各种工业和消费类电子产品中的功率开关电路。

参数

型号:SUM52N20-39P
  类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 VDS:200V
  最大漏极电流 ID(连续):52A
  最大导通电阻 RDS(on):39mΩ @ VGS=10V
  阈值电压 VGS(th):2.0~4.0V
  最大功耗 PD:200W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220
  引脚数:3

特性

SUM52N20-39P 采用先进的功率 MOSFET 技术,具备低导通电阻(RDS(on))特性,有助于降低导通损耗并提高能效。该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,适合用于高功率密度设计。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率。此外,该 MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高电流和高电压条件下提供可靠的保护机制。其 TO-220 封装形式便于散热,适用于各种标准电路板布局。该器件符合 RoHS 环保标准,适用于无铅工艺制造。
  在动态性能方面,SUM52N20-39P 的输入电容(Ciss)约为 2400pF,输出电容(Coss)约为 350pF,反向传输电容(Crss)约为 80pF,使其在高频开关应用中表现良好。栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的功耗。此外,该 MOSFET 具有较强的雪崩能量承受能力,提高了在高压冲击环境下的可靠性。

应用

SUM52N20-39P 适用于多种功率电子系统,如电源转换器(包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器)、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、UPS(不间断电源)系统以及高功率 LED 照明驱动电路。该器件也可用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。此外,它在太阳能逆变器和储能系统中也具有广泛的应用前景。

替代型号

STP55NF06L, IRF1405, FDP52N20, FQP50N20

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