时间：2025/5/28 17:06:17
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SUM110N04-03P-E3是一款高性能的MOSFET功率器件，属于Sumoto品牌的N沟道增强型场效应晶体管。该型号主要用于开关和功率转换应用，具有低导通电阻、高切换速度和出色的热性能。其设计优化了效率与散热性能之间的平衡，适用于多种工业和消费电子领域。
该器件采用TO-263封装形式，适合表面贴装工艺，从而提高了生产的自动化程度和可靠性。由于其优秀的电气特性和封装设计，SUM110N04-03P-E3广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率控制的场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：75nC
功耗：11W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达110A的连续漏极电流，满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关特性，栅极电荷较低，可有效降低开关损耗。
4. TO-263封装具备良好的散热性能，能够适应高温工作环境。
5. 广泛的工作温度范围，使其能够在极端条件下可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的合规性要求。
SUM110N04-03P-E3主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路，用于实现高效的电机控制。
3. 工业逆变器中作为关键的功率转换组件。
4. 太阳能逆变器和其他新能源设备中的功率管理。
5. 各类负载开关和保护电路，确保系统的安全性和稳定性。
6. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统（BMS）中用作功率开关。
SUM110N04-03P-E2, IRFP2907, STP110N04L
