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SUD50P04-08 发布时间 时间:2025/5/28 17:05:29 查看 阅读:10

SUD50P04-08 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,在低导通电阻和高开关速度方面表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:32nC(典型值)
  开关时间:ton=11ns,toff=16ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

SUD50P04-08 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低功耗并提升效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用场合。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  4. 紧凑的封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 强大的抗雪崩能力和热稳定性,提升了整体系统可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺生产。

应用

SUD50P04-08 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源适配器及充电器。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 工业电机驱动与控制。
  4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
  5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
  6. 各类负载开关和保护电路设计。

替代型号

SUD50N04, IRF540N, FDP5020N

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