晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗：300 mW
　　过渡频率 (fT)：250 MHz
　　电流增益 (hFE)：100 - 800（取决于工作电流）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

GN2403BIBE3 的主要特性之一是其出色的高频性能，过渡频率 (fT) 高达 250 MHz，使其适用于高频放大和射频信号处理。该晶体管具有宽广的电流增益范围（hFE 为 100 - 800），能够适应不同的电路设计需求。
　　此外，该器件的最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极和集电极-基极电压均为 30 V，具备一定的耐压能力，适用于中等功率的高频电路。
　　采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和小型化设计。
　　GN2403BIBE3 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和消费级电子设备，在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
　　该晶体管的低噪声系数和良好的线性度也使其在低噪声放大器和射频接收电路中表现出色。

GN2403BIBE3 常用于射频（RF）放大器、无线通信模块、高频振荡器、混频器和调制解调器等高频电子电路中。由于其优异的高频响应和稳定的性能，该晶体管也广泛应用于音频放大器前级、前置放大电路以及高速开关电路。
　　在无线通信领域，GN2403BIBE3 常用于发射和接收模块中的信号放大环节，能够有效提升信号的增益和清晰度。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如蓝牙模块、Wi-Fi 模块、遥控器、无线麦克风系统等。
　　在工业控制和传感器系统中，GN2403BIBE3 可用于模拟信号放大和处理，确保信号的准确传输与处理。
　　因其良好的高频性能和小封装特性，该晶体管也被广泛用于测试仪器、射频识别（RFID）设备和微型通信设备中。

2N3904, BC547, BFQ59, PN2222A