时间：2025/5/30 10:20:22
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SUD50P04-08-GE3 是一款基于沟道增强型工艺的N沟道MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能要求的电力电子应用领域。
它广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动电路、电源适配器以及便携式设备的电池管理等领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SUD50P04-08-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，使得其在高频应用中表现优异。
3. 较高的漏极电流承载能力，能够满足大功率应用场景的需求。
4. 采用DPAK（TO-263）封装形式，提供良好的散热性能和易于PCB布局设计。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的使用需求。
SUD50P04-08-GE3 主要应用于以下场景：
1. 开关电源中的同步整流功能。
2. 用于DC/DC转换器以提升能源转化效率。
3. 在负载开关和保护电路中作为关键组件。
4. 用作各类电机驱动器的核心功率器件。
5. 为电池管理系统提供高效的充放电控制方案。
6. 工业自动化及通信设备中的电源管理模块。
SUD50P04-08-F, SUD50P04-08-E3
