NCV887100D1R2G 时间：2025/4/28 13:54:24 阅读：3

NCV887100D1R2G 是一款高性能的 MOSFET 功率开关器件，专为汽车电子应用设计。该器件采用沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够满足严苛的汽车级工作环境要求。其封装形式为 DFN8，具有出色的散热性能和紧凑的设计，非常适合空间受限的应用场景。
　　这款芯片适用于电源管理、电机驱动、负载开关等场合，广泛应用于汽车电子系统中，例如电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、LED 驱动等。

参数

额定电压：100V
　　额定电流：2A
　　导通电阻：15mΩ
　　栅极电荷：3.5nC
　　最大工作温度范围：-40℃ to 150℃
　　封装形式：DFN8
　　漏源极击穿电压：100V
　　连续漏极电流：2A
　　典型栅极阈值电压：2.2V

特性

NCV887100D1R2G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
　　2. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车环境中具备高度可靠性。
　　3. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
　　4. 快速开关速度，减少开关损耗。
　　5. 小型化的 DFN8 封装，节省 PCB 空间。
　　6. 内置静电保护功能，增强抗干扰能力。
　　7. 具备良好的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定的性能。
　　8. 支持高频开关操作，适合现代汽车电子对效率和响应速度的需求。

应用

NCV887100D1R2G 广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子中的负载开关和电源管理。
　　2. DC-DC 转换器和升降压电路。
　　3. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
　　4. LED 驱动和照明控制。
　　5. 汽车电机驱动中的功率级控制。
　　6. 各种工业及消费类电子设备中的小型化功率转换模块。
　　其卓越的性能和可靠性使其成为许多关键汽车应用的理想选择。