时间：2025/6/30 13:02:30
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SUD50N04-8M8P 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效开关和低导通损耗的应用场合。该型号属于 STMicroelectronics 的 MDmesh? 系列，采用了先进的技术来优化其性能。此 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的雪崩能力，适用于工业、汽车及消费电子领域的多种应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：6.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：29nC
输入电容：2350pF
总耗散功率：17W（Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
SUD50N04-8M8P 的主要特性包括高效率、低功耗和出色的热稳定性。
1. 极低的导通电阻确保在大电流应用中减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩击穿能量使其能够承受瞬态过压情况，提升系统的可靠性。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，适合高频开关应用。
4. 宽广的工作温度范围使它能够在极端环境下稳定运行。
5. TO-247 封装提供良好的散热性能，便于集成到各种功率转换电路中。
SUD50N04-8M8P 广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动器中的逆变器和控制器。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
5. 各种工业设备中的功率管理模块。
6. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）的牵引逆变器和其他车载电子系统。
SUD50N04-8MFP, SUD50N04L, IRFZ44N
