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TPN5R203PL 发布时间 时间:2025/8/2 6:01:48 查看 阅读:22

TPN5R203PL 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道功率MOSFET,常用于高频率开关应用和电源管理领域。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于诸如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等应用。TPN5R203PL 封装形式为TO-252(DPAK),适用于表面贴装技术。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):≤2.03Ω
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

TPN5R203PL 的核心特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这使得在导通状态下功率损耗最小化,从而提高系统效率。
  此外,该MOSFET具备高耐压特性,漏源电压可达500V,使其适用于高电压开关应用。
  TPN5R203PL 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,增强系统的可靠性。
  其快速开关特性减少了开关损耗,适合高频开关电源设计。
  该器件的封装形式为TO-252(DPAK),适合自动化生产和表面贴装工艺,提高了PCB布局的灵活性。
  TPN5R203PL 还具有高雪崩能量耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。

应用

TPN5R203PL 主要应用于各种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器和逆变器等。
  在工业自动化和控制系统中,TPN5R203PL 可用于驱动高功率负载,如继电器、电磁阀和电机。
  在新能源领域,该MOSFET适用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。
  消费类电子产品中,TPN5R203PL 可用于高性能电源管理模块,如笔记本电脑和服务器的电源适配器。
  汽车电子系统中,如车载充电器和电机控制模块,该MOSFET的高可靠性和耐温性能也得到了广泛应用。

替代型号

TK15A50D, FDPF5N50, STP5NK50Z

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