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SUD50N04-07L-E3 发布时间 时间:2025/7/4 7:27:42 查看 阅读:4

SUD50N04-07L-E3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用TO-263封装形式,具备低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于直流电机驱动、开关电源、负载切换等领域。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏电流:50A
  最大栅极阈值电压:4V
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  总功耗:90W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SUD50N04-07L-E3具有低导通电阻,可显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
  该器件的快速开关能力使其非常适合高频应用,并且其高电流处理能力可以满足大功率需求。
  此外,它还具备优异的热稳定性和耐用性,能够在极端环境条件下可靠运行。
  TO-263封装提供良好的散热性能,有助于进一步提升器件的可靠性。

应用

该MOSFET常用于直流-直流转换器、开关模式电源(SMPS)、太阳能逆变器、电动工具驱动电路、汽车电子系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其出色的电气性能和封装优势,SUD50N04-07L-E3也适合用作负载开关或保护电路中的关键组件。

替代型号

SUD50N04-07L-E3H, IRFZ44N, FDP5020

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SUD50N04-07L-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压40 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流65 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)7.4 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3
  • 封装Reel
  • 下降时间15 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散65 W
  • 上升时间20 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 典型关闭延迟时间40 ns