时间：2025/7/4 7:27:42
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SUD50N04-07L-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用TO-263封装形式，具备低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于直流电机驱动、开关电源、负载切换等领域。
最大漏源电压：40V
最大连续漏电流：50A
最大栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：90W
工作温度范围：-55℃至+175℃
SUD50N04-07L-E3具有低导通电阻，可显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
该器件的快速开关能力使其非常适合高频应用，并且其高电流处理能力可以满足大功率需求。
此外，它还具备优异的热稳定性和耐用性，能够在极端环境条件下可靠运行。
TO-263封装提供良好的散热性能，有助于进一步提升器件的可靠性。
该MOSFET常用于直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、电动工具驱动电路、汽车电子系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的电气性能和封装优势，SUD50N04-07L-E3也适合用作负载开关或保护电路中的关键组件。
SUD50N04-07L-E3H, IRFZ44N, FDP5020
