时间：2025/8/14 18:06:53
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B1010S_R2_00001 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种高效率功率控制电路中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率。该型号通常采用小型表面贴装封装（如 SSOP 或 TSSOP），适合对空间要求较高的应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
B1010S_R2_00001 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下可实现 10mΩ 的导通电阻，确保在高电流应用中保持较低的功率损耗。
该 MOSFET 采用了罗姆先进的沟槽结构技术，优化了载流子流动路径，从而在保持高性能的同时实现了小型化封装。这使得该器件适用于空间受限的设计，例如笔记本电脑、服务器电源、LED 驱动器以及各种 DC-DC 转换器模块。
其 100V 的漏源电压额定值使其适用于中高压应用，如工业电源和电机驱动器。最大漏极电流为 10A，适用于大多数中等功率开关应用。栅源电压容限为 ±20V，使得该器件在不同驱动电路中具有良好的兼容性。
此外，B1010S_R2_00001 的热阻较低，有助于提高器件在高功率密度设计中的热稳定性，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。该器件还具备良好的短路和过热保护能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
该器件广泛应用于各类电源系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源模块、工业自动化设备、LED 驱动器以及便携式电子设备中的功率控制电路。其小型封装和高效率特性使其特别适合对空间和效率要求较高的应用。
R1010S、Si4410DY、IRFZ44N、FDN360BN、B1010S-R2
