时间：2025/6/30 18:39:34
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SUD50N024-09P-E3是一款高压、低导通电阻的N沟道功率MOSFET，主要应用于高效率开关电源、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺，在确保高耐压性能的同时实现了较低的导通电阻，从而提高系统效率并降低发热量。
这款芯片具有出色的开关特性和热稳定性，适用于各种需要高效能功率转换的场景。
最大漏源电压：2400V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：1.8Ω
栅极电荷：180nC
输入电容：2500pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
SUD50N024-09P-E3采用了超结技术以实现高击穿电压与低导通电阻的平衡。
其高耐压能力使得它能够胜任极端条件下的应用需求，同时具备优秀的热管理能力。
快速开关速度减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。
此外，该器件还拥有较强的雪崩能力和抗静电能力，增强了产品的可靠性和耐用性。
该MOSFET适合用于多种高压大电流场合，包括但不限于以下领域：
1. 高频开关电源及逆变器
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
3. 太阳能光伏微型逆变器
4. 工业自动化设备中的功率控制模块
5. 电动车充电桩等相关产品
SUD50N025P-E3
SUD45N024-E3
