时间：2025/6/30 18:38:11
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SUD35N10-26P-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于多种开关电源、电机驱动以及负载开关等应用领域。其低导通电阻和出色的热性能使其成为高效率电力转换的理想选择。
这款功率 MOSFET 由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有较高的电流处理能力和较低的导通损耗，从而确保在高频工作条件下的高效运行。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
总功耗：19W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
SUD35N10-26P-E3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更低的传导损耗，适合用于高电流应用。
2. 高速开关性能得益于较小的栅极电荷，能够显著降低开关损耗。
3. 采用 TO-263 封装，具备良好的散热性能，简化了散热设计。
4. 宽温度范围 (-55°C 至 +175°C) 保证了器件在极端环境中的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
6. 可靠性高，经过严格的质量控制流程制造，适用于工业和消费类电子设备。
SUD35N10-26P-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 各种负载开关应用。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电信和网络设备中的高效功率管理解决方案。
SUD35N10LL-E3, IRF3205, FDP35N10E
