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SUD25N06-45L 发布时间 时间:2025/5/29 1:28:43 查看 阅读:10

SUD25N06-45L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和负载开关等领域。该器件采用TO-252表面贴装封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
  该型号中的“SUD”代表产品系列,“25”表示最大漏极电流为25A(在特定条件下),“N06”表示该器件为N沟道且具有60V的额定电压,“45L”则与产品的版本或工艺改进相关。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:25A
  导通电阻(典型值):0.017Ω
  栅极阈值电压:2V~4V
  总功耗:83W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

1. 低导通电阻设计有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关性能适合高频应用。
  3器件的鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  5. TO-252封装提供良好的热性能和电气连接可靠性。
  6. 内置反向二极管,适用于续流保护电路。
  7. 小型化封装节省PCB空间,适合紧凑型设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机控制和驱动电路。
  3. DC-DC转换器和升压/降压模块。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 逆变器和太阳能微逆变器。
  6. 各种工业自动化设备中的电子开关。
  7. 汽车电子系统中的电源管理和负载控制。
  8. 保护电路中的过流保护和短路保护开关。

替代型号

IRFZ44N
  STP25NF06L
  FDP15N6
  AO3400

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SUD25N06-45L参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流25 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)35 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3
  • 封装Reel
  • 下降时间10 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升时间10 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间31 ns