您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SUD25N04-25-E3

SUD25N04-25-E3 发布时间 时间:2025/5/26 17:53:04 查看 阅读:11

SUD25N04-25-E3 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。这款器件专为高效率开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于直流-直流转换器、电机驱动以及负载开关等应用场景。
  该型号属于 STMicroelectronics 的产品线,广泛应用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:9.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:21nC(典型值)
  开关时间:t(on) = 27ns,t(off) = 18ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

SUD25N04-25-E3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频开关应用,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 热稳定性强,能够在宽温度范围内保持性能一致性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 提供出色的 ESD 保护能力,提高器件的可靠性。

应用

该 MOSFET 广泛适用于多种场景:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. 直流-直流转换器的核心开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化中的负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制电路。
  6. LED 照明驱动中的恒流控制模块。

替代型号

SUD25N04L-25-E3
  IRFZ44N
  FDP25N04L

SUD25N04-25-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SUD25N04-25-E3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)