SUD23N06-31_11是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。
该型号的额定电压为60V,能够满足大多数低压系统的使用需求。其设计优化了导通电阻与栅极电荷之间的权衡,从而提高了效率并降低了功耗。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:23A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极阈值电压:2.5V~4.5V
总栅极电荷:27nC
输入电容:930pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
SUD23N06-31_11的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频开关应用。
3. 强大的雪崩能力和耐用性,增强了在异常情况下的可靠性。
4. 紧凑的TO-252封装节省了PCB空间,同时提供良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
3. 负载开关及保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 小型电机驱动电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
SUD23N06L, IRFZ44N, FDP027N06L