容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：8M x 8
　　接口类型：Quad SPI (QSPI)
　　时钟频率：最高支持85 MHz
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-pin SOIC
　　写入耐久性：> 10^14 次读/写周期
　　数据保持时间：> 10 年（典型值）
　　待机电流：< 10 μA
　　工作电流（读取）：< 5 mA
　　写入时间：即时写入，无延迟周期

CY15B064Q-SXE的核心技术基于铁电存储单元（Ferroelectric Random Access Memory），与传统的EEPROM或Flash存储器不同，其写入操作无需擦除周期，也不依赖于缓慢的编程机制，因此实现了真正的“即时写入”能力。这意味着每一次数据写入都是立即完成的，不存在因写入延迟导致的数据丢失风险，特别适用于高速数据采集和实时日志记录应用。
　　F-RAM的物理写入机制决定了其卓越的耐久性，CY15B064Q-SXE支持超过10^14次的读写循环，远超传统NAND Flash（约10^5次）和NOR Flash（约10^6次）。这一特性使得它在需要频繁更新数据的场合（如PLC控制器中的状态记录、电表中的能耗数据存储）中具有显著优势，极大延长了系统的使用寿命并降低了维护成本。
　　该器件支持标准和双I/O、四I/O（Dual and Quad I/O）SPI模式，在Quad SPI模式下可实现高达85 MHz的时钟速率，有效提升数据吞吐量，接近SRAM级别的访问速度。此外，其内部架构无需块或扇区擦除，避免了Flash常见的“先擦后写”流程，简化了软件管理逻辑，并减少了系统资源开销。
　　功耗方面，CY15B064Q-SXE在读写过程中消耗的电流远低于传统非易失性存储器。由于写入过程不涉及高电压生成电路，动态功耗显著降低，待机状态下电流低于10 μA，非常适合电池供电或能量受限的应用场景，例如远程传感器节点或便携式医疗设备。
　　该芯片还具备出色的抗辐射能力和数据保持稳定性，在极端温度和电磁干扰环境下仍能可靠工作。出厂时已集成纠错码（ECC）和写保护功能，支持硬件写保护引脚（WP#）和软件写保护命令，确保关键数据不被误修改。整体设计符合RoHS环保标准，具备高可靠性与长生命周期支持，适合工业及汽车级应用场景。

CY15B064Q-SXE广泛用于需要高频写入、快速响应和高可靠性的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、DCS（分布式控制系统）中保存运行参数、故障日志和配置信息；在智能电表、水表、气表等计量设备中，用于记录实时能耗数据，防止断电导致数据丢失。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、血糖仪、便携式超声设备，该芯片可用于存储患者数据、设备校准信息和操作日志，确保数据安全合规。汽车电子系统中，可用于车身控制模块、ADAS传感器单元或车载诊断系统（OBD）中进行事件记录和配置存储。
　　此外，在通信基础设施、POS终端、打印机、工业HMI（人机界面）以及物联网边缘设备中，CY15B064Q-SXE作为高性能非易失性缓存，替代传统EEPROM或Flash，显著提升系统响应速度和数据完整性。其低功耗特性也使其适用于太阳能供电或无线传感网络中的数据记录单元。

FM25V05-GTR
　　CY15B104Q-SXI
　　MB85RS2MT
　　IS25LP064A-JBLE