SUB70N06-14是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于需要高效能和紧凑设计的应用场合。
这款MOSFET在工作时能够以极低的功耗实现高效的电流切换,同时其小型化的封装使其非常适合空间受限的电子设备设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:70A
导通电阻:3.8mΩ
栅极电荷:39nC
总电容:205pF
开关时间:ton=13ns, toff=30ns
封装类型:TO-252
SUB70N06-14具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它能够在高电流应用中减少传导损耗,从而提高整体效率。
此外,其快速的开关速度降低了开关损耗,适合高频应用环境。
该器件的栅极电荷较小,有助于减少驱动电路的复杂性和成本。
由于采用了TO-252封装,这种器件不仅具备良好的散热性能,还能够节省PCB板上的空间。
SUB70N06-14广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
FDP75N6L
STP70NF06