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SUB70N06-14 发布时间 时间:2025/5/28 20:35:29 查看 阅读:5

SUB70N06-14是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于需要高效能和紧凑设计的应用场合。
  这款MOSFET在工作时能够以极低的功耗实现高效的电流切换,同时其小型化的封装使其非常适合空间受限的电子设备设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:70A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:205pF
  开关时间:ton=13ns, toff=30ns
  封装类型:TO-252

特性

SUB70N06-14具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它能够在高电流应用中减少传导损耗,从而提高整体效率。
  此外,其快速的开关速度降低了开关损耗,适合高频应用环境。
  该器件的栅极电荷较小,有助于减少驱动电路的复杂性和成本。
  由于采用了TO-252封装,这种器件不仅具备良好的散热性能,还能够节省PCB板上的空间。

应用

SUB70N06-14广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 电池保护系统中的负载开关。
  5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP75N6L
  STP70NF06

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SUB70N06-14参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流70 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)14 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-263-3
  • 封装Reel
  • 下降时间11 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3.7 W
  • 上升时间11 ns
  • 工厂包装数量800
  • 典型关闭延迟时间30 ns