时间：2025/7/23 18:48:01
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MTE320N25J3是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高效率应用设计。该器件具有低导通电阻和高耐压特性，适合用于电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等场景。MTE320N25J3采用TO-247封装，具有良好的热管理和电气性能，适用于工业和汽车电子等高要求环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：250V
漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：典型值为80mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
MTE320N25J3具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率。其次，器件的高耐压能力（250V）确保其在高压环境下稳定工作。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力（32A），适用于大功率负载。MTE320N25J3的TO-247封装提供了良好的散热性能，使其能够在高温环境下可靠运行。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。最后，MTE320N25J3具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护。
MTE320N25J3广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、充电系统以及新能源汽车的功率管理模块。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的性能，同时满足高可靠性和长寿命的要求。
STP320N25K3AG, FCP320N25K3, SPW320N25K3
